800G OSFP 光模塊演進路線
路線一：EML路線
800G DR8 OSFP光模塊采用8顆100G EML激光器，激光器數量多，成本高，是目前技術最成熟的一個方案。未來有望實現800G DR4 OSFP，激光器數量減半，成本降低，長期有望接近400G光模塊的價格。
路線二：硅光路線
800G硅光目前多采用雙激光器驅動方案，復用了當前400G DR4方案。成本上要更低于EML方案。未來會發展為單激光器驅動方案，采用薄膜鈮酸鋰調制器降低光路損耗，可實現單顆CW激光器驅動8路光信號，目前還處于樣品階段，量產時間未定。
硅光單激光器方案預計在2025年可實現量產，屆時，800G DR8硅光模塊在成本上會進一步降低，但目前主流還是雙激光器硅光方案。
800G 2xFR4 OSFP 演進路線
800G 2xFR4采用2套4波CWDM波長的100G EML激光器，每套包含4個激光器，未來會發展為FR4采用4顆CWDM波長200G EML激光器，MSA的800G光模塊-FR場景下的4x200G技術分析。
因為800G FR4需要4個波長CWDM激光器，硅光方案將同樣需要采用4個波長的CWDM激光器，因此硅光方案不具備成本優勢，主流為EML方案，暫時沒有廠商研究硅光方案。
800G SR8 OSFP 演進路線
800G SR8采用8顆VCSEL激光器，傳輸距離為50m（OM3），由于距離端，應用場景較400G SR8受到更多限制。通過10G、25G、50G、100G SR光模塊的傳輸距離對比，我們可以看到VCSEL激光器單通速率越高，它的傳輸距離幾乎是對半減少的。
隨著光模塊單通道速率越來越高，VCSEL進入到了瓶頸期。預計到1.6T光模塊時代時，若1.6T光模塊采用VCSEL激光器，距離還會進一步縮短，對于客戶選擇來說，1.6T的線纜方案在成本上會是一個更優選，所以預計未來VCSEL激光器會退出1.6T光模塊市場。
從CPO到LPO
- CPO
相較于傳統方案，通過上圖可以看到，CPO方案減少了一顆DSP芯片，在功耗和成本上進一步降低。同時，CPO方案采用了光電共封裝的形式，直接將交換芯片（實現光電轉換功能的）封裝到了光模塊上，減少了交換機到光模塊的電信號損耗，從而降低了時延和整體功耗。
由于光電共封裝的原因，問題也因此產生了，由于要把交換機芯片封裝到光模塊上，那么這個封裝由光模塊還是交換機廠商來封裝就成了問題，同時，如果壞了一個光電芯片組，怎么維修，誰來維修等，在技術上存在很多問題。因此，真正大規模量產應用至少3年以后，甚至可能長期在一個概念的狀態。
- LPO
作為傳統方案的替代方案，LPO方案一經推出就收獲了廣泛關注。LPO方案采用LPO線性直驅的技術把DSP替換掉，使用高線性度、具備EQ功能的TIA和DRIVER芯片，功耗大幅降低。但是延遲提升，系統誤碼率和傳輸距離有所犧牲。因此，LPO暫時用于特定領域（短距離），但未來可能會用于500m以內，滿足數據中心最大的需求。
LPO技術高度依賴交換機芯片性能的開放和提升，如T51.2T的Tomahawk 5在信號恢復方面的功能提升。整體上來講，LPO作為光模塊的一個封裝形式，是可插拔光模塊向下演進的技術路線，相較于CPO方案更容易實現、確定性更強。
總結
- EML激光器方案將是800G光模塊未來兩年的主流方案，EML需求將會大幅增加。
- 硅光方案相比EML方案更具成本優勢，但批量生產還面臨一些挑戰，長期可靠性還需要進一步驗證。
- 下一代4X200G的800G光模塊將會帶來更大的成本優勢，長期成本有望接近400G光模塊。
- LPO光模塊具有功耗和成本優勢，給用戶帶來價值，但面臨諸多技術挑戰，還需要一段時間進行沉淀。
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